松翰推出USB PD控制晶片SN32F600系列搶攻Type-C市場商機
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作者:unitek
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发布时间: 1485天前
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Type-C接口滲透率大幅成長，同步掀起USB-PD晶片需求，微控制器領導廠商松翰宣佈推出USBPD控制晶片SN32F600，內建ARMCortex-M032-bitCPU，設計彈性與操作速度優於一般8051MCU，具有高充電效率，並高度整合Type-CPD所需的外掛零件，搶進龐大的市場機會。
Type-C接口滲透率大幅成長，同步掀起USB-PD晶片需求，微控制器領導廠商松翰宣佈推出USBPD控制晶片SN32F600，內建ARMCortex-M032-bitCPU，設計彈性與操作速度優於一般8051MCU，具有高充電效率，並高度整合Type-CPD所需的外掛零件，搶進龐大的市場機會。
松翰推出的SN32F600方案，搭配內建的FlashROM可提供韌體更新要求，降低客戶庫存與生產風險。內建高精度12-bitSARADC做電流與電壓感測，除提供高精度的電壓及電流輸出外，也能提供各類保護機制包括：過電流保護(OverCurrentProtection)、過電壓保護(OverVoltageProtection)、短路保護(ShortCircuitProtection)、過溫保護…(OverTemperatureProtection)。
本晶片內建高準度溫度感測器(+/-3度C)，可提供MCU系統即時應對過熱環境的調適與保護，並內建140度C的熱當重置電路，確保ACAdapter電路板安全，內建高精度12-bitSARADC做電流與電壓感測；內建HighVoltageRegulator且支援寬範圍輸入電壓3V~24.5V，省下外部降壓LDO元件成本，內建分流穩壓器(ShuntRegulator)，支援ConstantVoltage與ConstantCurrentMode，可透過光耦合器與一次側完成Flyback回授電路。並配合內建高精度11-bitDACIP，提供寬範圍輸出電壓調變，具10mV，14.6mV，20mV等三種精度設定，輸出電壓範圍達3V~21V，並整合NMOSGateDriver、電流感測放大器(CurrentSenseAmplifier)…等眾多功能於同一晶片中，具備完整安全保護機制。
除了功能之外，充電的效率及散熱更是重點，SN32F600在提升效率方面針對電流、電壓調整更為精密，定電流輸出設定達3mA精度，為目前市場規格中調整精度最高的方案，除了提升充電功率外，也能準確的反應充電狀況。在相容性方面，內建PowerDelivery規範要求的類比CC-PHY與數位BMCengine及符合Qualcomm規範的快充協議電路，現階段已取得USB-IFPD3.0withPPS認證、QualcommQC4.0+Logo認證與第三方認證廠商相容性驗證之銀牌等級證書，使用者導入量產時可以符合各項測試規範，縮短產品上市時程。
SN32F600除確保快充電源安全保護無虞、優異功能特性與良好的相容性之外，更具高度整合性，其中Type-CIO全為耐高壓30V設計，可直連Type-C接口，毋須TVS保護元件與雜訊濾波電路；分流穩壓器(ShuntRegulator)補償電路僅需三顆電容即可通過PD3.0withPPS嚴苛的電源特性測試要求；電流感測放大器(CurrentSensingAmplifier)電路可直連5mohm檢測電阻，毋須外接低通濾波電路；NMOSGateDriver僅需連接一顆1Mohm電阻，毋須外接緩衝(Snubber)抑制電路，高度優化的設計可協助客戶省下元件成本與縮小PCB板材。
松翰推出的USBtype-CPDSN32F600整合型微控制器，具備高充電效率、完整安全保護機制，高度整合目前Type-CPD所需的外掛零件，且通過安規及USB協議規範，是當前講求節能高效率充電市場上的最佳產品。
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